近日，中鋼天源通過《專利合作條約》（PCT）途徑申請的國際專利《一種黑磷納米片及其制備方法與應用》正式獲得美國專利商標局授權。這是中鋼天源首項通過PCT途徑在美國獲得授權的發(fā)明專利，標志著中鋼天源在國際化知識產(chǎn)權布局上邁出關鍵一步，彰顯了公司在新材料領域核心技術創(chuàng)新能力獲國際認可。

  黑磷烯，作為一種極-具應用潛力的二維半導體材料，長期以來因其制備難度大而備受關注。中鋼天源的此項專利技術為低維材料規(guī)模化制備開拓了新思路，提供了一種以黑磷烯為代表的一系列導電二維層狀材料剝離至單層的規(guī)模化制備方法，該方法通過堿性水系電解液結合環(huán)氧樹脂輔助電化學剝離，可實現(xiàn)低氧化、高產(chǎn)率黑磷納米片制備，做到了先進低維層狀材料備技術與綠色生產(chǎn)理念高-效融合。

該技術的突破是中鋼天源邁向高端先進材料制造的又一重要標志，填補了國際相關領域的技術空白，將引領低維層狀材料生產(chǎn)行業(yè)向更清潔、更綠色、更高質(zhì)量方向發(fā)展。

此次PCT國際專利的獲得，不僅是中鋼天源國際化戰(zhàn)略的重要里程碑，更是公司持續(xù)加大研發(fā)投入、推動新材料技術國際化的有力證明。未來，中鋼天源將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，不斷加大研發(fā)投入，全-面推動新材料技術跨境轉化，為全球碳中和目標實現(xiàn)及高科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展貢獻“天源”力量。